Poluvodički senzori pritiska mogu se podijeliti u dvije kategorije, od kojih je jedna zasnovana na principu da se I-υ karakteristike poluvodičkog PN spoja (ili Schotky spoja) mijenjaju pod naprezanjem. Performanse ovog elementa osjetljivog na pritisak su vrlo nestabilne i nisu mnogo razvijene. Drugi je senzor baziran na poluvodičkom piezorezistivnom efektu, koji je glavna vrsta poluvodičkog senzora pritiska. U ranim danima, poluvodički mjerači naprezanja su uglavnom bili pričvršćeni za elastične elemente za izradu različitih instrumenata za mjerenje naprezanja i deformacija. Šezdesetih godina prošlog stoljeća, razvojem tehnologije poluvodičkih integriranih kola, pojavio se poluvodički senzor tlaka s difuzijskim otpornikom kao piezorezistivnim elementom. Ovaj tip senzora pritiska ima jednostavnu i pouzdanu strukturu, nema relativnih pokretnih delova, a element osetljiv na pritisak i elastični element senzora su integrisani, što izbegava mehaničko zaostajanje i puzanje i poboljšava performanse senzora.

Piezorezistivni efekat poluprovodnika Poluprovodnik ima karakteristiku vezanu za spoljnu silu, odnosno otpornost (predstavljena simbolom ρ) se menja sa naprezanjem koje podnosi, što se naziva piezorezistivni efekat. Relativna promjena otpornosti pod djelovanjem jediničnog naprezanja naziva se koeficijent piezorezističkog otpora, koji se izražava simbolom π. Matematički izraženo kao ρ/ρ = π σ.

Gdje σ predstavlja napon. Promjena vrijednosti otpora (R/R) uzrokovana otporom poluvodiča pod naprezanjem uglavnom je određena promjenom otpornosti, pa se izraz piezorezistivnog efekta može zapisati i kao R/R=πσ.

Pod djelovanjem vanjske sile u poluvodičkim kristalima nastaju određeni naponi (σ) i deformacije (ε), a odnos između njih je određen Youngovim modulom (Y) materijala, odnosno Y=σ/ε.

Ako je piezorezistivni efekat izražen naprezanjem poluprovodnika, to je R/R=Gε.

G se naziva faktor osjetljivosti senzora pritiska, koji predstavlja relativnu promjenu vrijednosti otpora pod jediničnim naprezanjem.

Piezorezistivni koeficijent ili faktor osjetljivosti je osnovni fizički parametar piezorezistivnog efekta poluvodiča. Odnos između njih, baš kao i odnos između naprezanja i deformacije, određen je Youngovim modulom materijala, odnosno g = π y.

Zbog anizotropije elastičnosti poluvodičkih kristala, Youngov modul i koeficijent piezorezistiva mijenjaju se s orijentacijom kristala. Veličina poluprovodničkog piezorezistivnog efekta je takođe usko povezana sa otpornošću poluprovodnika. Što je otpornost niža, to je manji faktor osjetljivosti. Piezorezistivni učinak difuzijske otpornosti određen je orijentacijom kristala i koncentracijom nečistoća difuzijskog otpora. Koncentracija nečistoća se uglavnom odnosi na površinsku koncentraciju nečistoća u difuzijskom sloju.