Senzori poluvodiča senzori mogu se podijeliti u dvije kategorije, jedan se temelji na principu da i-υ karakteristike poluvodiča PN Junction (ili Schottky Junction) mijenjaju se pod stresom. Performanse ovog elementa osjetljivog pritiska vrlo je nestabilan i nije se uvelike razvijen. Drugi je senzor zasnovan na poluvodičkim piezoresističkim efektom, koji je glavni izbor senzora pritiska poluvodiča. U ranim danima, mjerači poluvodiča uglavnom su bili pričvršćeni na elastične elemente kako bi se izrađivali razni stres i instrumenti za mjerenje naprezanja. 1960-ih, sa razvojem tehnologije integrirane krugove poluvodiča, pojavio se senzor poluvodičkog pritiska s difuzijskim otpornikom kao piezoresistički element. Ovakav senzor pritiska ima jednostavnu i pouzdanu strukturu, ne relativne pokretne dijelove, a integrirani su element osjetljiv na tlak i elastični element senzora koji izbjegavaju mehaničko zaostajanje i puzanje i poboljšava performanse senzora.

Piezoresistive Efekat poluvodiča poluvodiča ima karakteristiku povezanu sa vanjskom silom, odnosno otpora (predstavljena simbolom ρ) se mijenja s stresom koji se nalazi piezoresistive efekat. Relativna promjena otpora pod djelovanjem jedinice naziva se piezoresistisni koeficijent, koji se izražava simbolom π. Matematički izraženo kao ρ / ρ = π Σ.

Gde Σ predstavlja stres. Promjena vrijednosti otpora (r / r) uzrokovana otporom poluvodiča pod stresom uglavnom se određuje promjenom otpora, tako da se izraz piezoresistive efekta može napisati i kao r / r = πσ.

Prema akciji vanjske sile, određeni stres (σ) i naprezanje (Ε) generiraju se u poluvodičkim kristalima, a odnos između njih određuje mladićev modul (y) materijala, odnosno Y = Σ / ε.

Ako je piezoresistisni učinak izražen sojem na poluvodiču, to je r / r = gε.

G se naziva faktor osjetljivosti senzora pritiska, koji predstavlja relativnu promjenu vrijednosti otpora pod naponom jedinice.

Piezoresistisni koeficijent ili faktor osjetljivosti osnovni je fizički parametar poluvodičkog piezoresistive efekta. Odnos između njih, baš kao i odnos između stresa i naprezanja, određuje mladi modul materijala, odnosno G = π y.

Zbog anisotropije poluvodičkih kristala u elastičnosti, mladi modul i piezoresististički koeficijent promjene sa kristalnom orijentacijom. Veličina poluvodičkog piezoresistističkog efekta usko je povezana sa otporom poluvodiča. Smanjenje otpora, manji faktor osjetljivosti. Piezoresististički učinak difuzijskog otpora određuje se kristalnom orijentacijom i koncentracijom nečistoće difuzijskog otpora. Koncentracija nečistoća uglavnom se odnosi na koncentraciju površinske nečistoće difuzijskog sloja.